Sedaily หรือ Seoul Economic Daily สำนักข่าวธุรกิจและเศรษฐกิจของประเทศเกาหลีใต้ ได้รายงานว่า Qualcomm และ Samsung ได้บรรลุข้อตกลงร่วมกันในการผลิตชิปด้วยเทคโนโลยี 2 นาโนเมตร ที่มีความล้ำหน้าสูง ในขณะที่ TSMC ซึ่งเป็นผู้ผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่ของโลก จะได้ผลิตชิปเวอร์ชัน 3 นาโนเมตรแทน
การบรรลุข้อตกลงนี้อาจทำให้ Samsung ได้ผลิตชิปเซตเรือธงรุ่นใหม่อย่าง Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2 ด้วยเทคโนโลยี 2 นาโนเมตรเช่นกัน
Samsung จะผลิตชิประดับ 2 นาโนเมตร ที่โรงงาน Hwaseong S3 ซึ่งชิปเหล่านี้จะถูกนำไปติดตั้งในอุปกรณ์ไลน์อัป Galaxy ของ Samsung ที่จะเปิดตัวในครึ่งหลังของปี 2026 ต่อไป
หากข้อมูลดังกล่าวแม่นยำจะหมายความว่า สมาร์ตโฟนเรือธงซีรีส์ Galaxy S26 ของ Samsung ที่จะเปิดตัวในต้นปี 2026 นั้น จะไม่ได้ใช้ศักยภาพจากชิปเซต Snapdragon 8 Elite Gen 2 ระดับ 2 นาโนเมตร และคาดว่า Samsung จะนำไปใช้กับสมาร์ตโฟนพับจอได้อย่าง Galaxy Z Fold8 และ Z Flip8 เป็นลำดับแรก และอาจรวมถึงแท็บเล็ตระดับเรือธงอย่าง Galaxy Tab S11 ด้วย
อย่างไรก็ดี แหล่งข่าวได้รายงานเพิ่มเติมว่า โรงงานของ Samsung นั้น สามารถผลิตแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน ขนาด 12 นิ้ว สำหรับผลิตชิประดับต่าง ๆ ได้ 1,000 แผ่นต่อเดือน โดยมีความจุในการผลิตแผ่นเวเฟอร์สำหรับผลิตชิประดับ 2 นาโนเมตร อยู่ที่ 7,000 แผ่น ซึ่งการผลิตชิปเซต Snapdragon 8 Elite Gen 2 จะใช้เพียง 15% ของแผ่นเวเฟอร์ดังกล่าวเท่านั้น
นั่นทำให้มีความเป็นไปได้ที่ Samsung จะเปิดกว้างในการทำข้อตกลงผลิตชิประดับ 2 นาโนเมตร ร่วมกับบริษัทอื่น ๆ เพิ่มเติมต่อไปในอนาคต
Qualcomm และ Samsung นั้น เคยบรรลุข้อตกลงร่วมกันมาก่อน โดย Qualcomm ได้ออกแบบชิปเซตระดับ 4 นาโนเมตร เพื่อเป็นขุมพลังให้อุปกรณ์ XR (eXtended Reality) รุ่นแรกของ Samsung ที่เรียกว่า “โปรเจกต์ Moohan” (ในภาษาเกาหลีมีความหมายว่า ไม่มีจุดสิ้นสุด)
โปรเจกต์ Moohan นั้น เป็นโครงการที่ Samsung พัฒนาร่วมกับ Google และ Qualcomm มานานหลายปี โดยเป็นอุปกรณ์ XR แบบสวมศีรษะรุ่นแรกของ Samsung ที่ได้รับการออกแบบให้ทำงานบนแพลตฟอร์ม Android XR ซึ่งคาดว่าจะวางจำหน่ายในปลายปี 2025 นี้
นอกจากนี้มีรายงานว่า Samsung กำลังพัฒนาอุปกรณ์ XR แบบสวมศีรษะอีก 2 รุ่น นั่นคือ โปรเจกต์ Haean และโปรเจกต์ Jinju แต่ยังไม่ทราบว่าจะได้รับการติดตั้งชิปเซตรุ่นใด
