รายงานล่าสุดระบุว่า Qualcomm ได้เริ่มพัฒนา Snapdragon 845 แล้ว โดยจะใช้กระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร
รายงานดังกล่าวยืนยันว่า เมื่อเดือนเมษายนที่ผ่านมา ทาง TSMC ได้เริ่มพัฒนากระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร สำหรับ Snapdragon 845 แล้ว และกำลังอยู่ในขั้นตอนทดลองการผลิต และคาด Qualcomm ว่าจะเปิดตัวชิปดังกล่าวในช่วงต้นปี 2018 ซึ่งจะมีประสิทธิภาพการทำงานเพิ่มขึ้น 25-35% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 835 (ผลิตในระดับ 10 นาโนเมตร)
คาดการณ์ว่า Snapdragon 845 จะถูกนำมาใช้กับ Samsung Galaxy S9
นอกนี้ Huawei, NVIDIA และ MediaTek ก็เตรียมที่จะใช้กระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร ในการผลิตชิปของตนเองด้วยเช่นกัน
ข้อมูลอ้างอิง : androidheadlines
