หลังจากสัปดาห์ที่แล้วมีข่าวว่า Samsung เตรียมเริ่มต้นผลิตชิป 3nm ล่าสุดในวันนี้ Samsung Foundry ก็ได้ประกาศเริ่มต้นการผลิตโหนด 3nm รุ่นแรก (1st Gen) แบบ mass production โดยเป็นการผลิต GAA (Gate-All-Around) ที่เป็นเทคโนโลยีการผลิตถัดจาก FinFET
ชิป 3nm กับ 5nm จะมีความแตกต่างกัน โดยการผลิตแบบ 3nm จะมีประสิทธิภาพดีขึ้นถึง 23%, ประหยัดพลังงานกว่าเดิม 45% และมีพื้นที่ผิวลดลง 16%
หลังจากนั้นในลำดับถัดไป เมื่อผลิตโหนด 3nm ที่เป็นรุ่นที่ 2 (2nd Gen) ของ Samsung ก็จะยิ่งเป็นเทคโนโลยีที่ทำให้ชิปพัฒนามากขึ้น โดยจะมีประสิทธิภาพมากขึ้น 30%, ประหยัดพลังงานถึง 50%, และมีพื้นที่ลดลง 35%
การเริ่มต้นผลิตชิป 3nm ของ Samsung นำหน้า TSMC ซึ่งประกาศจะเริ่มต้นการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา: GSMArena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
