Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC!

สำนักข่าวยอนฮัพ (Yonhap News) เผย Samsung เตรียมประกาศเริ่มต้นการผลิตชิป 3nm ภายในสัปดาห์หน้า นำหน้า TSMC ที่เคยออกมายืนยันว่า จะเริ่มผลิตชิป 3nm ภายในปีนี้

โหนด 3nm จาก Samsung จะมีพื้นที่ลดลง 35%, ความสามารถในการทำงานสูงขึ้น 30% และกินพลังงานน้อยลง 50% เมื่อเทียบกับโหนด 5nm ซึ่งใช้ในการผลิต Snapdragon 888 และ Exynos 2100

ชิป 3nm จะใช้ดีไซน์ทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All-Around (GAA) ซึ่งเป็นเวอร์ชันพัฒนาจาก FinFET ที่ทำให้ผู้ผลิตสามารถลดขนาดทรานซิสเตอร์และไม่กระทบความสามารถในการส่งกระแสไฟ โดยดีไซน์ MBCFET นั้นเป็นอีกเวอร์ชันของ GAAFET ที่มีความสามารถมากกว่า GAAFET ทั่วไป

อย่างไรก็ตาม สิ่งที่น่ากังวลที่สุดสำหรับการผลิตโหนดชนิดใหม่ก็คืออัตราการสำเร็จจากการผลิต (Yield)

แม้ Samsung จะเคยบอกว่า กระบวนการ 3nm มีอัตราการสำเร็จเข้าใกล้ระดับเดียวกับการผลิตโหนด 4nm แต่บริษัทกลับไม่เคยบอกตัวเลขที่ชัดเจนออกมา ทำให้นักวิเคราะห์ต่างคาดการณ์ว่า แม้แต่กระบวนการ 4nm ของ Samsung ก็ประสบปัญหาอัตราการผลิตสำเร็จที่ค่อนข้างต่ำ

ที่มา: GSMArena

พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณ คุณสามารถศึกษารายละเอียดได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว และสามารถจัดการความเป็นส่วนตัวเองได้ของคุณได้เองโดยคลิกที่ ตั้งค่า

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

อนุญาตทั้งหมด
Manage Consent Preferences
  • คุกกี้ที่จำเป็น
    Always Active

    ประเภทของคุกกี้มีความจำเป็นสำหรับการทำงานของเว็บไซต์ เพื่อให้คุณสามารถใช้ได้อย่างเป็นปกติ และเข้าชมเว็บไซต์ คุณไม่สามารถปิดการทำงานของคุกกี้นี้ในระบบเว็บไซต์ของเราได้

  • คุกกี้เพื่อการวิเคราะห์

    คุกกี้ประเภทนี้จะทำการเก็บข้อมูลการใช้งานเว็บไซต์ของคุณ เพื่อเป็นประโยชน์ในการวัดผล ปรับปรุง และพัฒนาประสบการณ์ที่ดีในการใช้งานเว็บไซต์ ถ้าหากท่านไม่ยินยอมให้เราใช้คุกกี้นี้ เราจะไม่สามารถวัดผล ปรังปรุงและพัฒนาเว็บไซต์ได้

บันทึก