สำนักข่าวยอนฮัพ (Yonhap News) เผย Samsung เตรียมประกาศเริ่มต้นการผลิตชิป 3nm ภายในสัปดาห์หน้า นำหน้า TSMC ที่เคยออกมายืนยันว่า จะเริ่มผลิตชิป 3nm ภายในปีนี้
โหนด 3nm จาก Samsung จะมีพื้นที่ลดลง 35%, ความสามารถในการทำงานสูงขึ้น 30% และกินพลังงานน้อยลง 50% เมื่อเทียบกับโหนด 5nm ซึ่งใช้ในการผลิต Snapdragon 888 และ Exynos 2100
ชิป 3nm จะใช้ดีไซน์ทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All-Around (GAA) ซึ่งเป็นเวอร์ชันพัฒนาจาก FinFET ที่ทำให้ผู้ผลิตสามารถลดขนาดทรานซิสเตอร์และไม่กระทบความสามารถในการส่งกระแสไฟ โดยดีไซน์ MBCFET นั้นเป็นอีกเวอร์ชันของ GAAFET ที่มีความสามารถมากกว่า GAAFET ทั่วไป
อย่างไรก็ตาม สิ่งที่น่ากังวลที่สุดสำหรับการผลิตโหนดชนิดใหม่ก็คืออัตราการสำเร็จจากการผลิต (Yield)
แม้ Samsung จะเคยบอกว่า กระบวนการ 3nm มีอัตราการสำเร็จเข้าใกล้ระดับเดียวกับการผลิตโหนด 4nm แต่บริษัทกลับไม่เคยบอกตัวเลขที่ชัดเจนออกมา ทำให้นักวิเคราะห์ต่างคาดการณ์ว่า แม้แต่กระบวนการ 4nm ของ Samsung ก็ประสบปัญหาอัตราการผลิตสำเร็จที่ค่อนข้างต่ำ
ที่มา: GSMArena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
