Snapdragon 845 : ชิปตัวท็อปรุ่นต่อไปของ Qualcomm ที่ผลิตในระดับ 7 นาโนเมตร

รายงานล่าสุดระบุว่า Qualcomm ได้เริ่มพัฒนา Snapdragon 845 แล้ว โดยจะใช้กระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร

รายงานดังกล่าวยืนยันว่า เมื่อเดือนเมษายนที่ผ่านมา ทาง TSMC ได้เริ่มพัฒนากระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร สำหรับ Snapdragon 845 แล้ว และกำลังอยู่ในขั้นตอนทดลองการผลิต และคาด Qualcomm ว่าจะเปิดตัวชิปดังกล่าวในช่วงต้นปี 2018 ซึ่งจะมีประสิทธิภาพการทำงานเพิ่มขึ้น 25-35% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 835 (ผลิตในระดับ 10 นาโนเมตร)

คาดการณ์ว่า Snapdragon 845 จะถูกนำมาใช้กับ Samsung Galaxy S9

นอกนี้ Huawei, NVIDIA และ MediaTek ก็เตรียมที่จะใช้กระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร ในการผลิตชิปของตนเองด้วยเช่นกัน

ข้อมูลอ้างอิง : androidheadlines

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณ คุณสามารถศึกษารายละเอียดได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว และสามารถจัดการความเป็นส่วนตัวเองได้ของคุณได้เองโดยคลิกที่ ตั้งค่า

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

Allow All
Manage Consent Preferences
  • Always Active

Save