คาดว่า Galaxy S8 สมาร์ทโฟนเรือธงรุ่นล่าสุดของ Samsung ที่จะเปิดตัวในช่วงเดือนเมษายน 2017 นี้ อาจจะมีแรมมากถึง 8 GB และชิปสตอเรจ (Storage) ที่เร็วกว่าเดิม
ก่อนหน้านี้เคยมีข่าวลือว่า Galaxy S8 จะมีแรม 6 GB ใช้ชิปซีพียู Snapdragon 835 รุ่นล่าสุดของ Qualcomm พร้อมด้วยรุ่นที่ใช้ชิปซีพียู Exynos 8895 และมีเนื้อที่ภายในตัวเครื่องมากถึง 256 GB
ล่าสุด แหล่งข่าวระบุว่า Galaxy S8 จะมีแรมมากถึง 8 GB ซึ่งจะผลิตโดยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร และแฟลชสตอเรจ (Flash Storage: สำหรับเก็บข้อมูลภายในตัวเครื่อง) แบบ UFS 2.1 รุ่นใหม่ของ Samsung
นอกจากนี้ ยังเคยมีข่าวลือว่า Galaxy S8 และ S8 Plus จะมีหน้าจอขอบโค้งขนาด 5.1 นิ้ว และ 6 นิ้ว ตามลำดับ โดย Galaxy S8 จะมีกล้องหลังตัวเดียว แต่ S8 Plus จะมีกล้องหลัง 2 ตัว และอาจรองรับระบบ AI ซึ่งเป็นผู้ช่วยดิจิทัลของ Samsung ที่จะทำงานร่วมกับระบบปฏิบัติการ Andorid 7.0 Nougat
ข้อมูลอ้างอิง : mysmartprice.com
