Samsung ได้เปิดเผยข้อมูลหน่วยความจำเแบบใหม่ที่พัฒนาขึ้นบนพื้นฐาน uMCP (Multichip Package) หรือที่เรียกว่า LPDDR5 uMCP ซึ่งเป็นการติดตั้ง RAM ซึ่งเป็นหน่วยความจำหลัก แบบ LPDDR 5 และหน่วยความจำแบบแฟชแบบ UFS 3.1 NAND ไว้บนชิปตัวเดียวกัน
ทาง Samsung ได้ยืนยันว่า ชิปจะมีประสิทธิภาพในการทำงานระดับเรือธงให้แก่สมาร์ตโฟนที่ได้รับการติดตั้งชิปเซ็ตระดับกลาง
Young-soo Sohn ผู้ดำรงตำแหน่งรองประธานฝ่าย Memory Product Planning Team ของ Samsung ได้กล่าวว่า “ชิป LPDDR5 uMCP นี้จะช่วยให้ผู้ใช้สมาร์ตโฟนที่มีสเปกไม่สูงมาก สามารถสัมผัสประสบการณ์การรับชมเนื้อหาสตรีมมิง, เล่นเกม และ AR/VR ได้อย่างเต็มประสิทธิภาพ”
นอกจากนี้ ชิปดังกล่าวยังให้สมาร์ตโฟนราคาถูกที่มีสเปกไม่สูงมากสามารถประมวลผลได้เร็วยิ่งขึ้น โดยการเพิ่มศัยกภาพของ DRAM และหน่วยความจำแฟลชแบบ UFS ขึ้ืนอีกเกือบเท่าตัว เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี LPDDR4H แบบเดิม
ชิปดังกล่าวมีขนาดเพียง 11.5 x 13 มิลลิเมตร ซึ่งจะช่วยให้ภายในตัวเครื่องสมาร์ตโฟนมีพื้นที่เพิ่มมากขึ้น โดยทาง Samsung ได้ระบุว่าสามารถดัดแปลงความจุบนชิปได้อย่างหลายหลากตามที่ผู้ผลิตสมาร์ตโฟนต้องการ โดย DRAM นั้น จะมีขนาดอยู่ที่ 6 GB และ 12 GB ส่วนหน่วยความจำแฟลชจะมีความจุอยู่ที่ 128 GB และ 256 GB
ข้อมูลอ้างอิง : gsmarena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
