AnandTech ได้รายงานว่า Samsung Foundry ผู้ผลิตชิปอิสระรายใหญ่อันดับที่ 2 ของโลกรองจาก TSMC ของประเทศไต้หวัน ได้ทำการปรับปรุงประสิทธิภาพกระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตร โดยจะใช้เทคโนโลยี 3GAE (3nm Gate-All-Around Early)
อย่างไรก็ดีทาง Samsung อาจเริ่มผลิิตชิประดับ 3 นาโนเมตร ด้วยเทคโนโลยีดังกล่าวล่าช้าไปจนถึงปี 2022 ส่วนในปี 2021 นี้ จะผลิตเพื่อใช้เฉพาะภายใน Samsung เท่านั้น
ตัวแทนของ Samsung ได้กล่าวว่า “เราได้พิจารณาที่จะปรับปรุงประสิทธิภาพเทคโนโลยี 3GAE นั้น และจะเริ่มผลิตชิปอย่างจริงจังในปี 2022”
นอกจากนี้ เทคโนโลยี 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) ซึ่งได้รับการพัฒนาต่อเนื่องจาก 3GAE ก็ได้รับการคาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตในปี 2023
ข้อมูลอ้างอิง : phonearena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส