TSMC และ Samsung เป็น 2 บริษัทผู้ผลิตชิปที่มุ่งหน้าเข้าใกล้กระบวนการการผลิตชิป 3nm มากที่สุด ทั้งนี้ TSMC วางแผนที่จะผลิตทรานซิสเตอร์ FinFET ด้วยเทคโนโลยี 3nm ในขณะที่ Samsung จะใช้สถาปัตยกรรม GAA (Gate-all-around) โดยล่าสุดมีข่าวว่า TSMC ได้เลื่อนกระบวนการผลิตแบบ 3nm รุ่นพัฒนา (enhanced 3nm process node: N3e) ให้เร็วขึ้นกว่าเดิมอีก 1 ไตรมาส
Morgan Stanley บริษัทด้านการเงินระดับโลกระบุว่า ผลสำเร็จในการผลิตโหนด (Yield) นั้นให้ผลดีกว่าการคาดการณ์ และ TSMC อาจหยุดการออกแบบโหนด N3e ในสิ้นเดือนนี้ โดยกระบวนการผลิต N3e จะเริ่มต้นในไตรมาสที่ 2 ของปี 2023 แทนที่จะเป็นไตรมาสที่ 3
แม้ TSMC จะเลื่อนการผลิต N3e ให้เร็วขึ้นอีก 1 ไตรมาส แต่ก็ไม่ได้ส่งผลต่อการผลิตของชิป 3nm (N3) โดยคาดการณ์ว่า TSMC จะเริ่มการผลิตชิป N3 ในไตรมาสที่ 3 ของปีนี้ และจัดส่งให้ลูกค้าในไตรมาสที่ 1 ปี 2023
ในส่วนของโหนด 4nm พบว่า TSMC มีผลสำเร็จในการผลิต (Yield) สูงกว่า Samsung เป็นเท่าตัว โดย Samsung มีผลสำเร็จในการผลิตอยู่ที่ 35% เมื่อเทียบกับ TSMC ที่ 70% ซึ่งการที่ผลผลิตของ Samsung ค่อนข้างต่ำส่งผลให้ Qualcomm เปลี่ยนมาจ้าง TSMC เป็นผู้ผลิตชิปเรือธงตัวใหม่ (ซึ่งอาจจะใช้ชื่อ Snapdragon 8 Gen 2) แทน
อ้างอิง: PhoneArena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
