หลังจาก Samsung ประกาศเริ่มต้นการผลิตชิป 3nm รุ่นแรกแบบ mass production ไปเมื่อเดือนมิถุนายน ล่าสุด Samsung ได้กลายเป็นบริษัทแรกที่จัดส่งชิป 3nm ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์แบบ GAA (gate-all-around)
ทรานซิสเตอร์ GAA มีข้อดีตรงที่สามารถควบคุมการไหลของกระแสไฟได้ดีขึ้น ส่งผลให้ประสิทธิภาพของชิปสูงขึ้น ในขณะที่ TSMC ยังคงใช้ดีไซน์ 3nm ที่เป็นทรานซิสเตอร์แบบ FinFET ซึ่งจะเริ่มต้นจัดส่งในครึ่งหลังของปีนี้
เพื่อฉลองความสำเร็จ Samsung จึงได้จัดงานเฉลิมฉลองโดยมีผู้บริหารของ Samsung หลายคน รวมถึงนักการเมืองเกาหลีที่มาเข้าร่วมงาน อย่างไรก็ตามชิปล็อตแรกจะไม่ได้จัดส่งไปที่ผู้ผลิตสมาร์ตโฟน แต่จะถูกใช้สำหรับการขุดเหมืองคริปโต ซึ่งชิป 3nm GAA จะมีส่วนช่วยอย่างมากในการลดการบริโภคพลังงาน
ทั้งนี้ชิปที่ผลิตด้วยกระบวนการ GAA 3nm ในที่สุดก็จะถูกนำไปใช้สำหรับชิปเซ็ตภายในสมาร์ตโฟน เช่น Samsung Exynos 2300 หรือ Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 โดยจะช่วยลดการบริโภคพลังงานถึง 45% และเพิ่มประสิทธิภาพ 23% เมื่อเทียบกับชิปที่ผลิตด้วยกระบวนการ 5nm
สำหรับแผนการในอนาคตนั้นคาดว่าโหนดที่ผลิตด้วยกระบวนการ 2nm แบบ GAA จะเริ่มต้นจัดส่งไปที่ลูกค้าได้ภายในปี 2026
ที่มา: PhoneArena
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
