Qualcomm เปิดตัวชิป Snapdragon 8 Gen 5 : นักฆ่าเรือธง เร็วสูงสุด 3.80 GHz
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5 ได้รับการผลิตด้วยกระบวนการ 3 นาโนเมตร พร้อมติดตั้งแกนซีพียู Oryon รุ่นที่ 3 ที่มีความเร็วสูงสุด 3.80 GHz
Snapdragon 8 Elite
เนื้อหาล่าสุด
Poco เปิดตัว F8 Ultra และ F8 Pro : ชิปเรือธง, ลำโพง Bose, เริ่มต้น 16,900 บาท
Honor เปิดตัว 500 Series ชิป Snapdragon, แบตฯ อึด 8,000 mAh, ดีไซน์คล้าย iPhone Air, เริ่มต้น 12,300 บาท
Lenovo เตรียมเปิดตัวแท็บเล็ตเกมมิง Legion ขุมพลัง Snapdragon 8 Elite Gen 5
เผยสเปก Honor 500 Pro ก่อนเปิดตัว 24 พ.ย. : ชิป Snapdragon 8 Elite, กล้อง 200 ล้านพิกเซล, แบตฯ ใหญ่ 8,000 mAh
Honor เตรียมเปิดตัวสมาร์ตโฟนรุ่นใหม่ในซีรีส์ Honor 500 นั่นคือ Honor 500 Pro ที่ประเทศจีน ในวันที่ 24 พฤศจิกายน 2025 นี้
Samsung Galaxy Z TriFold มาพร้อมชิปเรือธง, กล้อง 200 ล้านพิกเซล และตัวเครื่องบางมาก
realme เริ่มขาย GT 8 Pro รุ่นพิเศษ Aston Martin F1 Edition ในราคา 24,800 บาท
Dimensity 9600 จะแรงระดับใด ? เมื่อถูกวางให้อยู่ตรงกลางระหว่าง Snapdragon 8 Elite Gen 6 และ Gen 6 Pro
ทิปสเตอร์จากประเทศจีนที่ใช้ชื่อยูสเซอร์ว่า Digital Chat Station (DSC) ได้เปิดเผยว่า ชิปเซตเรือธงรุ่นถัดไปของ MediaTek นั่นคือ Dimensity 9600 ที่จะเปิดตัวในเดือนกันยายน 2026 ...อ่านต่อ
ชิปเรือธงถัดไป Snapdragon 8 Elite Gen 6 อาจมีเวอร์ชัน Pro ด้วย
เรือธงขุมพลัง Snapdragon 8 Elite Gen 5 ครอง 5 อันดับแรก สมาร์ตโฟนประสิทธิภาพสูงสุด เดือนตุลาคม 2025
เผยสเปก Lenovo Legion Y700 2026 : ขุมพลัง Snapdragon 8 Elite Gen 5, จอ 165 Hz, แบตฯ ใหญ่ 9,000 mAh
เผยสเปก Snapdragon 8 Gen 5 : ซีพียู 8 คอร์ใหญ่ เร็วสูงสุด 3.80 GHz
Qualcomm เตรียมเปิดตัว Snapdragon 8 Gen 5 ในเร็ว ๆ นี้ ในฐานะชิปเซตทรงประสิทธิภาพสำหรับอุปกรณ์ระดับไฮเอนด์รุ่นถัดไป
iQOO เปิดตัวรุ่นเกมมิง Neo11 : ขุมพลัง Snapdragon 8 Elite, แบตฯ ใหญ่ 7,500 mAh
iQOO ได้เปิดตัว Neo11 พร้อมขุมพลัง Snapdragon 8 Elite และชิปเกมมิง Q2 ที่ Qualcomm พัฒนาขึ้น เพื่อตอบสนองต่อการเล่นเกมได้อย่างเต็มศักยภาพ
Samsung กำลังพัฒนา ‘More Slim’ เรือธงบางเฉียบรุ่นใหม่ที่บางยิ่งกว่า Galaxy S25 Edge
Snapdragon 8 Elite Gen 6 จะแรงขึ้นด้วยเทคโนโลยี 2 นาโนเมตร, แรม LPDDR6, สตอเรจ UFS 5.0
Snapdragon 8 Elite Gen 6 จะได้รับการผลิตด้วยกระบวนการระดับ 2 นาโนเมตร โดย TSMC และทำงานร่วมกับแรม LPDDR6 และสตอเรจ UFS 5.0