ล่าสุดนี้ Huawei ได้รับสิทธิบัตรเทคโนโลยีฉบับใหม่ หมายเลข CN116266536A ซึ่งเกี่ยวกับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการเตรียมทรานซิสเตอร์
Huawei ได้ตั้งชื่อสิทธิบัตรนี้ว่า “method for preparing semiconductor and transistors” ซึ่งมีจุดประสงค์เพื่อเตรียมทรานซิสเตอร์สำหรับผลิตชิป ด้วยวิธีการที่จะช่วยบริษัทลดต้นทุนการผลิตลงได้
เนื้อหาทางเทคนิคในสิทธิบัตรระบุว่า การผลิตทรานซิสเตอร์จะใช้กระบวนการ Etching (ใช้กรดกัดแผงวงจร) เพื่อกัดกร่อนส่วนที่ซ้อนทับของชั้นไดอิเล็กทริก (interlayer dielectric layer) เพื่อสร้างสล็อต (slot) และสร้างเกต (gate) จากช่องสล็อตนั้น
กระบวนการของสิทธิบัตรนี้จะมีขั้นตอนการนำชั้นสารตั้งต้นของเซมิคอนดักเตอร์มาซ้อนทับด้วยแผ่นออกไซด์ไดอิเล็กทริก, ชั้นไดอิเล็กทริกที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง และดัมมีเกต (dummy gate) บนสารตั้งต้นของเซมิคอนดักเตอร์ จากนั้นจึงเป็นการเปิดร่องแหล่งจ่าย (source) ช่องไหลออก (drain) และจะสร้างรูที่เป็นวัสดุโลหะนำไฟฟ้า
เมื่อเทียบกับวิธีการทั่วไปที่ขาเกตต้องใช้กระบวนการผลิตเพิ่มหลายขั้นตอน กระบวนการใหม่ในสิทธิบัตรจะมีประสิทธิภาพมากกว่าเพราะสามารถลดขั้นตอนบางส่วนออกไปได้ และเป็นการใช้ช่องสล็อตเป็นเกตแทนไปเลย
แม้ว่า Huawei จะไม่ได้ให้ข้อมูลว่า เทคโนโลยีในสิทธิบัตรนี้จะถูกนำไปใช้ในกระบวนการผลิตหรือไม่ แต่มันก็แสดงให้เห็นถึงความพยายามที่จะวิจัยและพัฒนาชิปเซตที่มีประสิทธิภาพอย่างต่อเนื่อง
ที่มา: HuaweiCentral
ภาพหน้าปก: MyDrivers
พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส
