Micron เปิดตัวสตอเรจ UFS 4.0 : เร็วขึ้น 2 เท่า จากรุ่นก่อน

Micron ได้ประกาศเปิดตัวสตอเรจ UFS 4.0 สำหรับสมาร์ตโฟน ซึ่งทางบริษัทได้เริ่มส่งให้ผู้ผลิตสมาร์ตโฟนและชิปเซตทั่วโลกได้ทดลองใช้กันแล้ว

สตอเรจดังกล่าวมาพร้อมความจุ 256 GB, 512 GB และ 1 TB โดยได้รับการผลิตด้วยเทคโนโลยีสถาปัตยกรรม NAND ที่เรียงชิปหน่วยความจำซ้อนกัน 232 ชั้น ทำให้มีความเป็นมากกว่ารุ่นก่อนถึง 2 เท่า ส่งผลทำให้สตอเรจ UFS 4.0 ของ Micron นั้น มีแบนด์วิธการเขียนข้อมูลสูงขึ้น 100% และแบนด์วิธการอ่านข้อมูลสูงขึ้น 75% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน

หากลงลึกในรายละเอียดมากขึ้นนั้น ทาง Micron ได้ระบุว่า UFS 4.0 ที่ตนพัฒนาขึ้น มีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงสุด 4,300 เมกะไบต์ต่อวินาที (MBps) มีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงสุด 4,000 เมกะไบต์ต่อวินาที ซึ่งเร็วกว่าสตอเรจ UFS 4.0 ของ Samsung โดยเฉพาะในด้านอัตราการเขียนข้อมูล

ไม่เพียงแค่นั้น Micron ยังอ้างว่า สตอเรจ UFS 4.0 ของตน ลดการใช้พลังงานลงไปอีก 25% และมีความหน่วงในการเขียนข้อมูลน้อยกว่ารุ่นก่อนอีก 10%

Micron จะเริ่มผลิตสตอเรจ UFS 4.0 ดังกล่าว อย่างเต็มกำลังในครึ่งหลังของปี 2023 นี้ จึงมีความเป็นไปได้ว่าแบรนด์ต่าง ๆ อาจเปิดตัวสมาร์ตโฟนที่มาพร้อมสตอเรจ UFS 4.0 ของ Micron ภายในปลายปี 2023 นี้ ก็เป็นได้

Are you ready for the next big thing in #mobile storage? Introducing Micron UFS 4.0 storage, purpose-built for flagship smartphones. Built on advanced 232-layer 3D NAND, it delivers best-in-class performance and power in capacities up to 1TB. https://t.co/PWqS252Ccc pic.twitter.com/lnAXWFlwOW

— Micron Technology (@MicronTech) June 21, 2023

ที่มา : GSMArena

พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส