สำนักข่าว Reuters รายงานโดยอ้างแหล่งข่าว 3 แห่งว่าชิปประมวลผลหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) 8 เลเยอร์ ของ Samsung ในชื่อ HBM3E ผ่านการทดสอบเพื่อใช้ในหน่วยประมวลผล AI ที่ NVIDIA ผลิตแล้ว
แหล่งข่าวยังบอกด้วยว่า ทั้ง 2 บริษัทยังไม่ได้ลงนามในสัญญาจัดหาชิป HBM3E แต่ก็เชื่อว่าน่าจะอีกไม่นานเกินรอ โดยน่าจะเริ่มส่งของให้กันได้ภายในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้ (ตุลาคมเป็นต้นไป) อย่างไรก็ดี ชิป HBM3E แบบ 12 เลเยอร์ยังคงไม่ผ่านการทดสอบของ NVIDIA
Samsung ออกมาเผยว่าการทดสอบชิปเป็นไปตามแผน โดยบริษัทอยู่ระหว่างการปรับแต่งผลิตภัณฑ์ร่วมกับลูกค้าหลายราย เพื่อให้ชิปสามารถทำงานอย่างมีประสิทธิภาพสูงสุด ซึ่ง Samsung พยายามผ่านการทดสอบของ NVIDIA มาตั้งแต่ปีที่แล้ว
Samsung พยากรณ์ไว้ในเดือนกรกฎาคมที่ผ่านมาว่าชิป HBM3E จะกินส่วนแบ่งตลาดชิป HBM มากถึง 60% ภายในไตรมาสที่ 4 ของปีนี้
สำหรับชิป HBM เป็นชิปหน่วยความจำประเภทดีแรม (Dynamic Random Access Memory – DRAM) ซึ่งเป็นชิปแบบที่เรียงตัวกันในแนวดิ่งเพื่อให้ประหยัดพื้นที่และลดการใช้พลังงาน โดย DRAM ยังเป็นชิ้นส่วนสำคัญในชิปประมวลผลกราฟิกที่ใช้ประมวลผล AI ด้วย
ปัจจุบันมีผู้ผลิตชิป HBM อยู่เพียง 3 ราย ได้แก่ SK Hynix, Micron และ Samsung ซึ่งที่ผ่านมา SK Hynix เป็นผู้จัดหา HBM รายหลักให้แก่ NVIDIA ขณะที่ Micron ก็ออกมาบอกว่าจะเป็นผู้จัดหา HBM3E ให้แก่ NVIDIA ด้วยเช่นกัน
