ในช่วง 2 – 3 สัปดาห์ที่ผ่านมานี้ มีรายงานมากมายเกี่ยวกับสเปกสมาร์ตโฟนเรือธงดีไซน์บางเฉียบรุ่นถัดไปของ Samsung นั่นคือ Galaxy S26 Edge ซึ่งจะเปิดตัวในต้นปี 2026 รวมถึงการเปิดเผยว่าอาจมีความจุของแบตเตอรี่อยู่ที่ 4,200 mAh ภายใต้บอดีที่มีความบางเพียง 5.5 มม. โดยเป็นการอัปเกรดจาก Galaxy S25 Edge ที่เปิดตัวในปี 2025 นี้ พร้อมแบตเตอรี่ความจุ 3,900 mAh และบอดีบาง 5.8 มม.
ล่าสุด Samsung Galaxy S26 Edge ดังกล่าว ได้รับการทดสอบประสิทธิภาพด้วยโปรแกรมของ Geekbench ภายใต้หมายเลขรุ่น SM-S947U ซึ่งคาดว่าจะเป็นเครื่อง Pre-Production (เครื่องที่ได้รับการผลิตเพื่อทดสอบก่อนเข้าสู่ขั้นตอนการผลิตจริง)
การทดสอบดังกล่าวได้เผยให้ทราบว่า Samsung Galaxy S26 Edge ได้ใช้ศักยภาพจากชิปเซตเรือธงรุ่นถัดไปของ Qualcomm นั่นคือ Snapdragon 8 Elite 2 ซึ่งได้รับการติดตั้งแกนซีพียู (CPU: Central Processing Unit) จำนวน 8 คอร์ ดังนี้
- แกนซีพียูระดับ Prime ความเร็วสูงสุด 4.74 GHz จำนวน 2 คอร์ : สำหรับประมวลผลอย่างเต็มศักยภาพ เช่น การเล่นเกม หรือการเรนเดอร์งานกราฟิกที่มีความละเอียดสูง เป็นต้น
- แกนซีพียูระดับ Performance ความเร็วสูงสุด 3.63 GHz จำนวน 6 คอร์ : สำหรับประมวลผลงานทั่วไปด้วยประสิทธิภาพสูง
ก่อนหน้านี้มีรายงานว่า Snapdragon 8 Elite 2 เวอร์ชันมาตรฐาน จะมีความเร็วสูงสุดที่ 4.6 GHz ซึ่งทำให้มีความเป็นไปได้ที่ชิปเซตเรือธงข้างต้นอาจเป็น Snapdragon 8 Elite 2 เวอร์ชัน For Galaxy ที่ได้รับการโอเวอร์คล็อกความเร็วขึ้นอีกระดับ และเป็นการอัปเกรดอย่างชัดเจนจาก Snapdragon 8 Elite รุ่นปัจจุบัน ที่ได้รับการติดตั้งแกนซีพียูระดับ Prime และ Performance ที่มีความเร็วในการประมวลผลสูงสุด 4.32 GHz และ 3.53 GHz ตามลำดับ
ด้วยชิปเซตที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้น ส่งผลให้ Samsung Galaxy S26 Edge ดังกล่าว ได้ผลทดสอบบนแพลตฟอร์มของ Geekbench สูงขึ้น ดังนี้
- การทดสอบแบบ Single-Core (ประมวลผลด้วยซีพียูแกนเดียว) : 3,393 คะแนน ซึ่งเพิ่มขึ้น 8% จาก Galaxy S25 Edge ที่ได้ผลทดสอบ 3,131 คะแนน
- การทดสอบแบบ Multi-Core (ประมวลผลด้วยซีพียูหลายแกน) : 11,515 คะแนน ซึ่งเพิ่มขึ้น 22% จาก Galaxy S25 Edge ที่ได้ผลทดสอบ 9,391 คะแนน
ทั้งนี้มีรายงานว่า Qualcomm จะเปิดตัวชิปเซตเรือธง Snapdragon 8 Elite 2 ในเดือนกันยายน 2025 นี้
