ในปี 2018 เราจะได้เห็นสมาร์ทโฟนมีหน่วยความจำ UFS (Universal Flash Storage : หน่วยความจำแบบแฟลช) ที่มีประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียนข้อมูลสูงถึง 50,00 /40,000 IOPS (Input/Output Operations per Second) ในขณะที่หน่วยความจำ UFS ในปัจจุบันมีประสิทธิภาพอยู่ที่ 19,000 / 14,000 IOPS
Samsung ได้เริ่มใช้หน่วยความจำ UFS กับ Galaxy S6 เป็นรุ่นแรก ซึ่งมีประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลได้ดีกว่าหน่วยความจำ eMMC ในยุคนั้น ล่าสุดบริษัท Silicon Motion Technology ได้พัฒนาเทคโนโลยี UFS 2.1 ซึ่งนอกจากจะช่วยเพิ่มความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลมากกว่ารุ่นก่อนถึง 3 เท่าแล้ว ยังรองรับความจุสูงสุดถึง 512 GB อีกด้วย และอาจเข้ามาแทนที่เทคโนโลยี eMMC อย่างสิ้นเชิงในอีก 5 ปีข้างหน้านี้
กระบวนการผลิตหน่วยความจำ UFS 2.1 จะเริ่มในช่วงปลายปี 2017 นี้
ข้อมูลอ้างอิง : phonearena
