Samsung ได้เลือกใช้ศักยภาพจากแรม (RAM: Random Access Memory) แบบ LPDDR5 มาตั้งแต่สมาร์ตโฟนเรือธงซีรีส์ Galaxy S23 และได้อัปเกรดเป็น LPDDR5X ในซีรีส์ Galaxy S24 โดยล่าสุดเว็บไซต์ ETNews จากประเทศเกาหลีใต้ ได้รายงานว่า Samsung ได้เลือกใช้แรมที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นจากการผลิตด้วยเทคโนโลยีที่มีขนาดเล็กลง
รายงานดังกล่าวระบุว่า สมาร์ตโฟนเรือธงซีรีส์ Galaxy S25 จะใช้แรม LPDDR5X ที่ติดตั้ง Node (ทำหน้าที่จัดการข้อมูลในหน่วยความจำ) ระดับ 12 นาโนเมตร ซึ่งจะเล็กลงจากแรม LPDDR5X ของ Galaxy S24 ที่ติดตั้ง Node ระดับ 13 นาโนเมตร
ด้วยจำนวนที่เล็กลงนั้น ทำให้สามารถติดตั้ง Node บนชิปหน่วยความจำได้มากขึ้น ซึ่งส่งผลให้ใช้พลังงานในการประมวลผลน้อยลง, กระจายความร้อนได้ดีขึ้น และช่วยประหยัดการใช้พลังงานได้ดีขึ้น โดยจะทำงานร่วมกับชิปเซตเรือธง Qualcomm Snapdragon 8 Elite ที่มีความความเร็ว 4.32 GHz โดยตรง
ทั้งนี้มีรายงานว่า Samsung จะเปลี่ยนผู้ผลิตแรมชุดแรกเป็น Micron และคาดว่า Samsung จะดำเนินการผลิตแรมด้วยตนเองอีกจำนวนมากเสริมไปด้วยในอนาคต
ทั้งนี้คาดว่า Samsung Galaxy S25 รุ่นมาตรฐาน จะมาพร้อมแรม 12 GB โดยอัปเกรดขึ้นจาก Galaxy S24 รุ่นมาตรฐาน ที่มีแรม 8 GB ซึ่งทำให้น่าสนใจว่า Galaxy S25 นั้น จะมีศักยภาพในการประมวลผลและประหยัดพลังงานดีขึ้นเพียงไร
