สื่อรายงาน Huawei เตรียมผลิตชิปเซ็ตเองโดยไม่ใช้ชิ้นส่วนของสหรัฐฯ แม้แต่ชิ้นเดียว

CEO ของ Huawei Consumer, Richard Yu ยืนยันแล้วว่า Huawei Mate 40 จะเป็นสมาร์ตโฟนรุ่นสุดท้ายที่มาพร้อมกับชิปประมวลผล Kirin โดยคาดว่าจะเป็น Kirin ซีรีส์ 1000 แต่เนื่องจากทาง TSMC ต้องทำตามกฏใหม่ของสหรัฐฯ​ ทำให้ไม่สามารถรับออเดอร์จาก Huawei ได้ และนั่นจึงเป็นแรงผลักดันให้ Huawei เริ่มต้นผลิตชิปเซ็ตด้วยตัวเอง

อ้างอิงจากผู้ใช้งาน Weibo โซเชียลยอดนิยมของจีนระบุว่า Huawei มีแผนที่จะสร้างโรงงานผลิตชิปของตัวเองเพื่อสร้างเซมิคอนดักเตอร์โดยที่ไม่ใช้ชิ้นส่วนหรือวัสดุจากสหรัฐอเมริกาแม้แต่ชิ้นเดียว รวมไปถึงการทำชิปเซ็ตด้วยตัวเองด้วย

ปัจจุบัน แผนกเซมิคอนดักเตอร์ของ Huawei หรือ HiSilicon มีประสบการณ์ในการออกแบบชิปอยู่แล้ว แต่ไม่สามารถผลิตเองได้ แถมยังเจอข้อจำกัดในการทำธุรกิจร่วมกับ TSMC อีก ครั้งนี้ถือเป็นความท้าทายครั้งใหญ่เพียงอย่างเดียวที่ Huawei ต้องเผชิญเพื่อสร้างชิปเซ็ตของตนเอง

อ้างอิงจากแหล่งที่มาระบุว่า Huawei จะเริ่มผลิตชิปเซ็ตด้วยเทคโนโลยีการผลิต 45nm โดยจะพร้อมใช้งานภายในปีนี้ แต่นอกจาก 45nm แล้ว Huawei ยังมีแผนทำชิปเซ็ต 28nm อีกด้วย ถึงแม้ว่าเทคโนโลยี 45nm และ 28nm นั้นจะดูล้าหลังไปมากในยุคสมัยนี้ แต่นับว่าเป็นการเริ่มต้นที่ดีของหัวเว่ย ทางผู้ผลิตจีนเองก็ยังต้องใช้เวลาในการศึกษาและพัฒนาการผลิตชิปต่อไป ล่าสุดมีรายงานว่ารัฐบาลจีนสนับสนุนให้ประเทศมีการสร้างเซมิคอนดักเตอร์ของจีนเอง โดยการจ้างหัวกะทิจาก TSMC มานับร้อยคนเลยทีเดียว

อย่างไรก็ตาม Huawei ยังไม่ได้ยืนยันข่าวลือนี้ และไม่ได้แสดงความคิดเห็นใด ๆ ทั้งสิ้น

ซึ่งปัจจุบันบริษัทจีนแท้ๆ ก็มีความคืบหน้าในการพัฒนาดังนี้

  • SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation) บริษัทผลิตชิปที่ใหญ่ที่สุดของจีน เริ่มส่งมอบชิปที่ผลิตระดับ 14nm finFETs แล้ว ซึ่งสามารถผลิตชิป Kirin 710A ได้แล้ว (แต่ก็ยังถือว่าแย่กว่าชิป Kirin 710 ตัวต้นฉบับที่ผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 12 nm โดย TSMC) และกำลังพัฒนาการผลิตในระดับ 7 nm
  • Yangtze Memory Technologies (YMTC) กำลังเข้าสู่ตลาด 3D NAND ระดับ 64-layer ส่วนระดับ 128-layer กำลังวิจัยอยู่
  • ChangXin Memory Technology (CXMT) เริ่มส่งมอบ DRAM ขนาด 19nm แล้ว
  • จีนกำลังเน้นการพัฒนาอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ด้วยสารใหม่ๆ อย่าง gallium nitride (GaN) และ silicon carbide (SiC).

อ้างอิง Huawei Central, semi engineering

พิสูจน์อักษร : สุชยา เกษจำรัส