Snapdragon 855 ที่จะใช้ใน Galaxy S10 จะเป็นชิปเซ็ตระดับ 7 นาโนเมตร รุ่นแรก

เมื่อวันที่ 14 กุมภาพันธ์ 2018 ที่ผ่านมา Qualcomm ได้เปิดตัวชิปโมเด็ม X24 ซึ่งเป็นชิปรุ่นแรกที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 7 นาโนเมตร ซึ่งมีความเร็วในการเชื่อมต่อ 4G LTE ถึง 2 Gbps

ข้อมูลจากผู้ผลิตระบุว่า ชิปดังกล่าวจะติดตั้งในชิปเซ็ต Snapdragon 855 (อาจนำมาใช้กับ Galaxy S10) ซึ่งจะเป็นชิปเซ็ตรุ่นแรกที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 7 นาโนเมตร

แน่นอนว่าชิปเซ็ต Snapdragon 855 จะต้องมีประสิทธิภาพมากขึ้นจาก Snapdragon 845 ซึ่งใช้ใน Galaxy S9 ที่จะเปิดตัวเร็วๆนี้นั้น โดยได้รับการผลิตด้วยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร Low Power Plus ซึงมีประสิทธิภาพสูงขึ้น 10% และประหยัดพลังงานมากขึ้น 15% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร Low Power Early ที่ใช้ในการผลิต Snapdragon 835

คาดว่าชิปเซ็ต Snapdragon 855 จะได้รับการผลิตโดย TSMC ในปี 2019 โดยทาง TSMC ได้อ้างว่าชิปเซ็ตดังกล่าวนี้มีประหยัดพลังงานมากขึ้น 40% แลเพิ่มประสิทธิภาพขึ้นอีก 37%

ข้อมูลอ้างอิง : phonearena

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณ คุณสามารถศึกษารายละเอียดได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว และสามารถจัดการความเป็นส่วนตัวเองได้ของคุณได้เองโดยคลิกที่ ตั้งค่า

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

อนุญาตทั้งหมด
Manage Consent Preferences
  • คุกกี้ที่จำเป็น
    Always Active

    ประเภทของคุกกี้มีความจำเป็นสำหรับการทำงานของเว็บไซต์ เพื่อให้คุณสามารถใช้ได้อย่างเป็นปกติ และเข้าชมเว็บไซต์ คุณไม่สามารถปิดการทำงานของคุกกี้นี้ในระบบเว็บไซต์ของเราได้

  • คุกกี้เพื่อการวิเคราะห์

    คุกกี้ประเภทนี้จะทำการเก็บข้อมูลการใช้งานเว็บไซต์ของคุณ เพื่อเป็นประโยชน์ในการวัดผล ปรับปรุง และพัฒนาประสบการณ์ที่ดีในการใช้งานเว็บไซต์ ถ้าหากท่านไม่ยินยอมให้เราใช้คุกกี้นี้ เราจะไม่สามารถวัดผล ปรังปรุงและพัฒนาเว็บไซต์ได้

บันทึก